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J-GLOBAL ID：200903048395811060

半導体装置

Inventor： 畑迫 健一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991319004
Publication number (International publication number)：1993160271
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 製造上の欠陥や異物に対しても十分にマージンが得られ、電気特性の変更もマスクの変更なしに対応できる半導体装置を得る。【構成】 上層のアルミ配線5の複数個の配線個所と下層の単一の配線個所であるポリシリコン3とをシリコン基板1の表面に対して所要角度傾斜して形成したコンタクトホール6を介して接続したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

上層の配線個所と下層の配線個所とをコンタクトホールを介して接続する半導体装置において、前記コンタクトホールを半導体基板の表面に対して所要角度傾斜せしめて形成し、前記上層の複数個の配線個所と下層の単一の配線個所とを接続したことを特徴とする半導体装置。