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J-GLOBAL ID：200903048399590092
電子サイクロトロン共鳴装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992160599
Publication number (International publication number)：1994005386
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 磁場が印加された真空容器1内に電力密度分布を均一化させたマイクロ波を導入することにより、ECRによるプラズマから生成されるイオンの密度分布を均一にして被照射物12に照射させるECR装置を提供する。【構成】 導波管14内を伝播する電力密度分布に偏りをもつマイクロ波に対して,マイクロ波放射電力密度均一手段(位相シフター15)により電力密度分布を均一化した後,マイクロ波導入窓2から真空容器1内に放射させることにより,該マイクロ波による電場と,真空容器1内に印加された磁場と,真空容器1内に導入された処理ガスとによる電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ発生領域(ECR領域13)におけるプラズマ粒子の生成密度分布が均一化され,被照射物12に対するイオン照射に偏りが生じず,エッチング等の処理を高品質で実施することができる。
Claim (excerpt)：
真空容器内に磁場発生装置による磁場を印加すると共に,該真空容器に設けたマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入して真空容器内に電場を印加し,該真空容器内に導入された処理ガスを前記磁場と電場とによる電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ化し,該プラズマにより発生したイオン,ラジカルを真空容器内に配置した被照射物に照射する電子サイクロトロン共鳴装置において,前記マイクロ波導入窓から前記真空容器に導入されるマイクロ波の放射電力密度分布を均一にするマイクロ波放射電力密度均一手段を設けたことを特徴とする電子サイクロトロン共鳴装置。
IPC (6)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H01L 21/302
