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J-GLOBAL ID：200903048413997460

酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法

Inventor： 田中 厚志 ,  赤瀬川 章彦 ,  渦巻 拓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 宇井 正一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225751
Publication number (International publication number)：1995078640
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 酸化物超伝導体と常伝導金属の間の良好な電気的コンタクトを得ること。【構成】 配線板などの酸化物超伝導体(例、Bi系)の表面に金属接続層(例、Au,Ag)を形成後、低融点金属(例、In-Sn,Sn-Ag,Pb-Sn)と加熱下に反応しないバリヤ層(例、Pt)を形成してから、低融点金属を用いて常伝導体(リード、フリップチップ等)と接続する。

Claim (excerpt)：

酸化物超伝導体表面に金属接続層を有し、低融点金属で常伝導金属と金属接続層間の電気的接続を取るコンタクト構造において、金属接続層と低融点金属との間の高温反応を防止するバリヤ層を有することを特徴とする酸化物超伝導体のコンタクト構造。

IPC (4)：

H01R 4/68 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01F 6/06 ZAA ,  H01R 43/02 ZAA