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J-GLOBAL ID：200903048427297789

シリコン基板への垂直穴加工方法

Inventor： 森井 明雄
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003205299
Publication number (International publication number)：2004128483
Application date： Aug. 01, 2003
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】低コストで、大口径のシリコン基板内での均一な寸法の穴加工が可能であり、かつ、アスペクト比の大きい穴加工が可能なシリコン基板への垂直穴加工方法を提供する【解決手段】アルカリ性溶液による異方性エッチングを利用したシリコン基板への垂直穴加工において、結晶面方位が{211}であるシリコン基板を用い、穴の開口部が正方形もしくは長方形であり、穴の側壁の結晶面方位が{111}および{110}から成ることを特徴とするシリコン基板への垂直穴加工方法であり、異方性エッチングの前に、穴の開口部の一部を予め穴加工し、該加工部分のシリコンを除去しておくことを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

アルカリ性溶液による異方性エッチングを利用したシリコン基板への垂直穴加工において、結晶面方位が{211}であるシリコン基板を用い、穴の開口部が正方形もしくは長方形であり、穴の側壁の結晶面方位が{111}および{110}から成ることを特徴とするシリコン基板への垂直穴加工方法。

IPC (4)：

H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L29/84

FI (4)：

H01L21/306 B ,  H01L21/318 M ,  H01L29/84 Z ,  H01L21/302 105A

F-Term (40)：

4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112CA41 ,  4M112CA44 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA20 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EA23 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043FF01 ,  5F043FF10 ,  5F058BA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF04 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-211780
  
• 特開昭53-212491