Pat

J-GLOBAL ID：200903048433648046

集積回路

Inventor： 柴田 随道 ,  尾辻 泰一 ,  今井 祐記 ,  山口 聡 ,  木村 俊二 ,  村田 浩一 ,  赤沢 幸雄
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993198354
Publication number (International publication number)：1995058526
Application date： Aug. 10, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】高周波・広帯域回路の性能及び設計性を向上させる。【構成】反転マイクロストリップ線路構造では、最上面のメタル層をグランド導体3として使用し、当該グランド導体3に対して下層に反転マイクロストリップ基板層4と呼ばれる絶縁膜層を介してストリップ導体2を配置し、更に下層の配線層との間に絶縁膜のバッファ層5を設け、その下層にトランジスタや抵抗等の素子6を配置する。そして、このバッファ層5以下の下層配線層は、例えば回路中の小さな機能単位としてのセル内部の素子間結線などの短い距離の配線に用い、セル間配線などの長い距離の結線を反転マイクロストリップ基板層4以下の下層配線層で行うといった使い分けができる。一方、トリプレートストリップ線路構造では、特にバッファ層5の下に補助的なグランド導体3を付加している。

Claim (excerpt)：

モノリシック集積回路において、電源供給、信号引き出し部分以外の回路表面の少なくとも一部を交流的にグランドとなるメタルで覆ったことを特徴とする集積回路。

IPC (3)：

H01P 3/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822