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J-GLOBAL ID：200903048464095215

半導体形複合センサ

Inventor： 仲沢 照美 ,  嶋田 智 ,  浅野 保弘 ,  海老根 広道
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997292359
Publication number (International publication number)：1999132881
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体形複合センサの歩留まり向上、測定精度,品質の向上,小形化を図る。【解決手段】シリコンチップ10の片面に、多層膜の表面デバイスプロセス処理により複数のダイアフラム形のセンサ素子11,12,13とセンサ信号処理回路15を形成する。信号処理回路15は、シリコンチップ10の中央に配置され、この信号処理回路15の周辺に複数のセンサ素子11,12,13を信号処理回路15を挾む形で配置する。シリコンチップ10のうちセンサ素子及び信号処理回路が形成されている側の面に台座20が接合され、この台座の接合領域をセンサ素子11〜13の周辺とし、信号処理回路15の周辺は非接合領域とする。

Claim (excerpt)：

シリコンチップの片面に、多層膜の表面デバイスプロセス処理により形成された複数のダイアフラム形のセンサ素子と前記センサ素子からの信号を処理する信号処理回路とが設けられ、且つ前記信号処理回路は、前記シリコンチップの中央に配置されて、この信号処理回路の周辺に前記複数のセンサ素子が配置されていることを特徴とする半導体形複合センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 圧力センサおよび圧力センサ用のチップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253151   Applicant：三菱電機株式会社