Pat
J-GLOBAL ID:200903048474614083
輝尽性蛍光体の製造方法及び放射線像変換パネル
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999185724
Publication number (International publication number):2001013299
Application date: Jun. 30, 1999
Publication date: Jan. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】 輝度及び鮮鋭性に優れ像形成後の安定性及び耐湿性に優れた輝尽性蛍光体の製造方法及び放射線像変換パネルの提供。【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層、保護層からなる放射線像変換パネルにおいて、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体がBaF2を10%以下含有することを特徴とする輝尽性蛍光体。一般式(1)BaFX:Eu2+
Claim (excerpt):
支持体上に輝尽性蛍光体層、保護層を有する放射線像変換パネルにおいて、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体が10%以下のBaF2を含有することを特徴とする放射線像変換パネル。一般式(1)BaFX:Eu2+式中、Xは沃素原子、臭素原子又は塩素原子から選ばれる少なくとも1種の原子を表す。
IPC (3):
G21K 4/00
, C09K 11/00
, C09K 11/61 CPF
FI (3):
G21K 4/00 M
, C09K 11/00 B
, C09K 11/61 CPF
F-Term (14):
2G083AA03
, 2G083BB01
, 2G083DD02
, 2G083EE02
, 2G083EE03
, 2G083EE08
, 4H001CA08
, 4H001CF01
, 4H001XA09
, 4H001XA17
, 4H001XA35
, 4H001XA53
, 4H001XA56
, 4H001YA63
Patent cited by the Patent:
Return to Previous Page