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J-GLOBAL ID：200903048481226471
イオン注入方法およびその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995101924
Publication number (International publication number)：1996298247
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】【構成】イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させてパターンイオンビームを形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハの所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。【効果】本発明によるイオン注入方法により、イオン注入工程前後のレジスト工程が不要となり、半導体装置の製造工程数が削減できる。
Claim (excerpt)：
ドーパントイオンを放出するイオン源から引出したイオンビームを、開口パターンを有するステンシルマスクに照射し、上記開口パターンを通過したパターンイオンビームをイオン投射光学系によって試料に投射することで、上記試料にイオン注入領域を形成することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4)：
H01L 21/266
, C23C 14/48
, H01J 37/317
, H01L 21/265
H01L 21/265 M
, C23C 14/48 Z
, H01J 37/317 Z
, H01L 21/265 D
Cited by examiner (6)
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