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J-GLOBAL ID：200903048514529084

半導体記憶装置

Inventor： 伊藤 伸高 ,  中村 正行 ,  梶谷 一彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 玉村 静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046138
Publication number (International publication number)：1996221983
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 データ読み出し動作中に相補データ線をプリチャージ可能なDRAMを提供する。【構成】 メモリマットMAT1のワード線が選択されるとき、該メモリマットを挟んで左右に配置された一方のセンスアンプSA1,カラムスイッチCSW1を分離スイッチSHR1で相補データ線BL1i,BLB1i...に接続して該センスアンプを活性化し、相補データ線に読出されたメモリセルのデータを増幅した後、相補データ線と接続状態のセンスアンプ及びカラムスイッチを分離スイッチSHR1で相補データ線から切り離し当該センスアンプにメモリセルのデータをラッチさせ、そのデータラッチ状態に並行して相補データ線をプリチャージ回路PCM1でプリチャージさせる。

Claim (excerpt)：

選択端子がワード線に、データ入出力端子が相補データ線に結合されたダイナミック型のメモリセルを複数個備えたメモリマットと、前記相補データ線に設けられたプリチャージ回路と、前記相補データ線の両側に夫々分離スイッチを介在させて結合されたセンスアンプ及びカラムスイッチと、タイミング制御回路とを供え、前記タイミング制御回路は、前記メモリマットのワード線がデータ読み出しのために選択されるとき、当該メモリマットを挟んでその左右に配置された何れか一方のセンスアンプ及びカラムスイッチを前記分離スイッチにて相補データ線に接続し、相補データ線に接続されたセンスアンプを活性化して前記相補データ線に読み出されたメモリセルのデータを増幅した後、相補データ線と接続状態のセンスアンプ及びカラムスイッチを前記分離スイッチにて前記相補データ線から切り離して当該センスアンプにメモリセルのデータをラッチさせ、そのデータラッチ状態に並行して選択状態のワード線を非選択にすると共に相補データ線をプリチャージ回路でプリチャージさせるものであることを特徴とする半導体記憶装置。