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J-GLOBAL ID:200903048514755254
ナノ構造の形成
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (8):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2005509253
Publication number (International publication number):2006516944
Application date: Nov. 04, 2004
Publication date: Jul. 13, 2006
Summary:
金属材料のナノ粒子を準備すること;固体高分子を加熱することによりフルオロカーボン分子の蒸気を準備すること;前記分子の少なくともいくらかの炭素を1つの前記粒子の外側に堆積させ、前記1つの粒子の前記外側の少なくとも一部を囲む炭素の堆積物を形成し、かつ前記粒子をさらに前記1つの粒子に集合させ、ナノワイヤの形態で材料の延伸配置を形成すること:を含むナノワイヤの形成方法。ナノチューブの形成の類似な方法もまた開示されている。
Claim (excerpt):
(a)第1材料を含むナノ粒子の配列を準備すること;
(b)分子の流体を準備すること;
(c)少なくともいくらかの第2材料を前記分子の流体から前記ナノ粒子の1つの外部表面に堆積し、前記1つのナノ粒子の前記外部の少なくとも一部を囲む堆積物を形成すること;および
(d)前記1つのナノ粒子を持つ前記ナノ粒子からさらに前記第1材料を集合させ、ナノワイヤの形態で前記第1材料の伸長した配置を作ること
を含むナノワイヤの形成方法。
IPC (4):
C01B 31/02
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01L 29/06
FI (4):
C01B31/02 101F
, B82B1/00
, B82B3/00
, H01L29/06 601N
F-Term (14):
4G146AA02
, 4G146AA11
, 4G146BA17
, 4G146BA20
, 4G146BC16
, 4G146BC17
, 4G146BC27
, 4G146BC32A
, 4G146BC32B
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146CB16
, 4G146DA16
, 4G146DA17
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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