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J-GLOBAL ID：200903048532885912

セプタム電磁石

Inventor： 齊藤 一義
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057766
Publication number (International publication number)：1993258897
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】セプタム厚を小さくするために、セプタムを構成するセプタムコイル3の厚みを電磁石開口部2のビーム出口付近5で局所的に薄くする。また、セプタム近傍の磁場分布の一様性を改善するため、電磁石開口部の磁極面6に切欠き7を設け、その部分に開口部の高さ9と同じ幅のセプタムコイルを設置する。さらに、セプタム近傍の非一様な磁場分布によるビームの発散を低減するため、入射ビーム軌道10を水平面内で電磁石開口部の中心線11に対して斜めに設計する。【効果】従来のセプタム電磁石を用いた入射装置に比較し、入射効率を2〜3倍に高めることができる。

Claim (excerpt)：

磁性体の鉄心部と、その開口部に少なくとも1ターンの励磁用コイルとを有し、前記開口部を通過する荷電粒子ビームを磁場で偏向するセプタム電磁石において、前記励磁用コイルの厚みを前記開口部の出入口付近で、少なくとも1箇所局所的に薄くしたことを特徴とするセプタム電磁石。

IPC (2)：

H05H 7/08 ,  H05H 13/04