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J-GLOBAL ID:200903048533636096

シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000102715
Publication number (International publication number):2001286821
Application date: Apr. 04, 2000
Publication date: Oct. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。【解決手段】 シロキサン化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とするシリカ系膜の製造方法。
Claim (excerpt):
シロキサン化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とするシリカ系膜の製造方法。
IPC (9):
B05D 7/24 302 ,  B05D 3/06 101 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  C08G 77/50 ,  C08J 7/00 CFH ,  C08J 7/00 302 ,  C09D183/04 ,  C08L 83:04
FI (9):
B05D 7/24 302 Y ,  B05D 3/06 101 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  C08G 77/50 ,  C08J 7/00 CFH ,  C08J 7/00 302 ,  C09D183/04 ,  C08L 83:04
F-Term (60):
4D075BB26Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB93Z ,  4D075BB94Z ,  4D075CA21 ,  4D075DC22 ,  4D075EB42 ,  4D075EB43 ,  4D075EB56 ,  4F073AA07 ,  4F073AA18 ,  4F073AA32 ,  4F073BA33 ,  4F073BB01 ,  4F073BB09 ,  4F073CA42 ,  4F073DA09 ,  4F073FA08 ,  4J035BA01 ,  4J035BA02 ,  4J035BA03 ,  4J035BA04 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA13 ,  4J035BA14 ,  4J035CA112 ,  4J035CA162 ,  4J035CA182 ,  4J035EA01 ,  4J035HA01 ,  4J035HB01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J035LB20 ,  4J038DL031 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038MA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09 ,  5F058AA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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