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J-GLOBAL ID：200903048535761238

両面TABの製造方法

Inventor： 田中 與志隆
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181626
Publication number (International publication number)：1993006924
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 製造工程が大幅に短縮され、かつ経済性に優れ、また製品の自由度が高く、しかも信頼性のある両面TABの製造方法を提供する。【構成】 中央に絶縁層、その両面に導体層を有する基板を用い、そのデバイス面の導体層をフォトレジストエッチングにより穴形状加工した後、両面の導体層をレジストとし該絶縁層を化学的に、または機械的に穴形状加工し開口部を設け、次いでパターン面の導体層をフォトレジストエッチングによって配線パターンを形成し、該配線パターンとデバイス面の導体層であるグランド層とをワイヤボンディングで接続し導通させ、接続部を樹脂で封止することを特徴とする両面TABの製造方法。

Claim (excerpt)：

中央に絶縁層、その両面に導体層を有する基板を用い、そのデバイス面の導体層をフォトレジストエッチングにより穴形状加工した後、両面の導体層をレジストとし該絶縁層を化学的に、または機械的に穴形状加工し開口部を設け、次いでパターン面の導体層をフォトレジストエッチングによって配線パターンを形成し、該配線パターンとデバイス面の導体層であるグランド層とをワイヤボンディングで接続し導通させ、接続部を樹脂で封止することを特徴とする両面TABの製造方法。