半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246168
Publication number (International publication number)：1996111458
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、十分な平坦性および十分な層間膜絶縁耐圧を持つ高信頼性の層間絶縁膜の形成方法を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】半導体基板1の上に金属配線パターン2を形成する。金属配線パターン2の表面を被覆するように、半導体基板1の上に第1の酸化膜3を形成する。第1の酸化膜3で被覆された金属配線パターン2を覆うように、半導体基板1の上にSi-O-Si結合およびSi-H基を含み、かつ立体的な分子構造を有するポリマ膜4を形成する。ポリマ膜4に不活性ガスによるプラズマ処理を施し、それによって、ポリマ膜4中に不活性ガスを導入する。プラズマ処理されたポリマ膜4の上に第2の酸化膜6を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた金属配線パターンと、前記金属配線パターンの表面を被覆するように前記半導体基板の上に設けられた第1の酸化膜と、前記金属配線パターンを覆うように前記第1の酸化膜の上に設けられた、その膜中に不活性ガスを含むシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられた第2の酸化膜と、を備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 Q , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-324607 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-183675
特開平1-239939

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Cited by examiner (3)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-324607 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-183675
特開平1-239939

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