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J-GLOBAL ID：200903048568844562

プラズマエッチング装置

Inventor： 堀池 ▲靖▼浩 ,  塚田 勉
Applicant, Patent owner： 堀池 靖浩 ,  アネルバ株式会社
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995135975
Publication number (International publication number)：1996306671
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン酸化物の選択エッチングの最適条件を設定して、高選択性が常時得られるような装置を提供する。【構成】 排気系13を備えた反応容器1と、この反応容器1内にフッ化炭素系ガスを導入するガス導入手段2と、導入されたガスによってプラズマを反応容器1内に発生させるプラズマ発生手段3とを有し、フッ化炭素系ガスのプラズマによってシリコンの酸化膜をエッチングする。プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比が、イオン化エネルギー調整機構を備えた四重極質量分析計50よりなる測定手段5によって測定され、測定手段5の測定結果に基づき制御部6がエッチング条件を制御する。

Claim (excerpt)：

排気系を備えた反応容器と、この反応容器内にフッ化炭素系ガスを導入するガス導入手段と、導入されたガスによってプラズマを反応容器内に発生させるプラズマ発生手段とを有し、フッ化炭素系ガスのプラズマによってシリコンの酸化膜をエッチングするプラズマエッチング装置において、プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比を測定する測定手段と、この測定手段の測定結果に基づきエッチング条件を制御する制御部とを備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00