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J-GLOBAL ID：200903048590413621

半導体装置の製造方法

Inventor： 岩本 泰彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265695
Publication number (International publication number)：1994120212
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】金属電極・金属配線を形成する場合に、電極・配線厚による段差をほとんど無くし、平坦性を格段に向上させ、安定的に高歩留りを得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板上11に所定領域を開孔した絶縁膜12を形成し、半導体基板全面に第1、第2金属膜14、15を形成し、さらに所定領域を開孔した絶縁膜16を形成した後、絶縁膜16に形成した開孔の側壁のみに絶縁性または導電性を有する膜17を形成する。次に第1、第2金属膜14、15を給電層として電解メッキ法により金属電極及び配線18を形成し、側壁のみに形成した絶縁性または導電性を有する膜17を除去し、第1、第2金属膜14、15を露出させ、絶縁膜16及び金属電極・配線18をマスクに第1、第2金属膜14、15を除去する。その後化学的気相成長法または塗布膜により層間絶縁膜19を形成する。以上により、金属電極・金属配線による段差をなくし、平坦性を格段に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板内あるいは半導体基板上に設けた導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた開孔を含む半導体基板全面に少なくとも一層の金属膜を形成する工程と、該金属膜上全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1の絶縁膜において、将来金属電極及び金属配線を形成する所定領域を選択的に開孔し前記金属膜を露出させる工程と、該第1の絶縁膜に形成した開孔の側壁のみに絶縁性または導電性を有する第2の膜を形成する工程と、前記所定領域に金属電極及び金属配線を形成する工程と、前記開孔の側壁のみに形成した第2の膜を除去し、金属膜を露出させる工程と、前記金属電極・金属配線及び第1の絶縁膜をマスクに金属膜を除去する工程と、第3の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90