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J-GLOBAL ID：200903048599029840

ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するバラクタ・ダイオード

Inventor： ゲディーズ,ジョン・ジェイ ,  シング,ドナルド・アール
Applicant, Patent owner： ハネウエル・インコーポレーテッド
Agent (1)： 山川 政樹 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996507247
Publication number (International publication number)：1997504143
Application date： Aug. 08, 1994
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】ヘテロ構造集積回路技術で形成した、ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するバラクタ・ダイオード。ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルをもたらす、ダイオード内の伝導を電荷シートに閉じ込めるために、ダイオード構造中のいくつかの層はパルス・ドーピングを有する。所望のキャパシタンス-電圧特性が得られるようにダイオードの構造設計を修正することができる。

Claim (excerpt)：

ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するヘテロ構造バラクタ・ダイオードであって、 GaAs基板と、 前記GaAs基板上に形成した第1の非ドープGaAs層と、 前記第1の非ドープGaAs層上に形成したドープInGaAs層と、 前記ドープInGaAs層上に形成した第1の非ドープAlGaAs層と、 前記第1の非ドープAlGaAs層上に形成した第1の非ドープInGaAs層と、 前記第1の非ドープInGaAs層上に形成した第2の非ドープAlGaAs層と、 前記第2の非ドープAlGaAs層上に形成した第1の非ドープ・シリコン層と、 前記第1の非ドープ・シリコン層上に形成した第3の非ドープAlGaAs層と、 前記第3の非ドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープInGaAs層と、 前記第2の非ドープInGaAs層上に形成した第1のドープAlGaAs層と、 前記第1のドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープ・シリコン層と、 前記第2の非ドープ・シリコン層上に形成した第2のドープAlGaAs層と、 前記第2のドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープGaAs層と を備えるダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/93 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3)：

H01L 29/93 Z ,  H01L 29/93 S ,  H01L 27/04 C