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J-GLOBAL ID：200903048609352017

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 松浦 正純
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997240617
Publication number (International publication number)：1999087340
Application date： Sep. 05, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体の層間絶縁として、フッ素含有シリコン酸化膜は比誘電率が低いが、膜の耐吸湿性を劣化させるという問題がある。【解決手段】 層間絶縁膜を、シリコン-酸素結合及びシリコン-フッ素結合を含む分子構造で構成し、濃度1011個/cm2以上の希ガス類を含有させる。そのために、アルゴンなどの希ガス類の流量を大きくして、CVD装置で成膜する。

Claim (excerpt)：

シリコン-酸素結合及びシリコン-フッ素結合を含む分子構造で構成され、濃度1011個/cm2以上の希ガス類を含有する層間絶縁膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K