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J-GLOBAL ID：200903048617671474

プラズマCVD装置

Inventor： 浦野 裕司
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997113388
Publication number (International publication number)：1998289881
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVD装置に於いて、プラズマが均一となる領域を拡大する。【解決手段】上下の電極23,21間に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、被処理基板を処理するプラズマCVD装置に於いて、上部電極を中央部24と周縁部25に分割し、前記中央部24と前記周縁部25の少なくとも一方を上下移動可能に設けたことにより、前記中央部24と周縁部25の上下の電極の間隔を調整し、プラズマが均一となる領域を拡大する。

Claim (excerpt)：

上下の電極間に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、被処理基板を処理するプラズマCVD装置に於いて、上部電極を中央部と周縁部に分割し、前記中央部と前記周縁部の少なくとも一方を上下移動可能に設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C