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J-GLOBAL ID：200903048621430856

誘電体キャパシタおよびその製造方法

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004463
Publication number (International publication number)：1995245237
Application date： Jan. 13, 1995
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 経年変化の少ない誘電特性を示す誘電体キャパシタを提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板2の上に、酸化シリコン層4、下部電極12、強誘電体層8、上部電極15が設けられている。下部電極12は、酸化イリジウムによって形成されている。また、上部電極15も、酸化イリジウムによって形成されている。酸化イリジウムは、強誘電体膜8中の酸素の透過を防止する。これにより、経年変化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない誘電体キャパシタを得ることができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸化イリジウム層を有する下部電極、下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた誘電体キャパシタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-257858
  
• 特開平3-253065
  
• 特開平3-214717
  
• 特開昭62-222616