Pat

J-GLOBAL ID：200903048626737151

酸窒化膜層の絶縁膜形成方法

Inventor： 安田 真 ,  福田 永
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327921
Publication number (International publication number)：1993166799
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板上に、従来よりも薄くしかも膜厚の制御性に優れ、かつ絶縁耐性が高く膜質の優れた絶縁膜を形成すること。【構成】 シリコン基板18を、酸素(O2 )ガスと一酸化二窒素(N2 O)ガス(分圧比10%)からなる混合ガス雰囲気の反応炉に入れ、常圧または減圧下で前記基板を赤外線で加熱しながら第1の酸窒化膜を形成する。さらに、N2 Oガスの分圧比を50%、100%として、前記酸窒化膜上に第2および第3の酸窒化膜を順次形成する。

Claim (excerpt)：

反応炉内で、シリコンの下地上にいくつかの酸窒化膜層からなる絶縁膜を形成する方法において、反応炉内を、窒素非含有の酸化性ガスと窒素含有の酸化性ガスとからなる混合ガスの雰囲気とし、かつ下地を加熱処理しながら、前記下地に第1の絶縁膜である酸窒化膜層を形成する工程と、前記反応炉内の前記混合ガスの混合比を窒素含有の酸化性ガスの比率が高くなるようにして順次変え、かつ下地を加熱処理しながら、前記第1絶縁膜上に第2以降の絶縁膜である酸窒化膜層を順次形成していく工程とを含むことを特徴とする酸窒化膜層の絶縁膜形成方法。