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J-GLOBAL ID：200903048630348267

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 大野 俊之 ,  井上 洋典 ,  川瀬 大助 ,  小園 裕三 ,  鈴木 誉也 ,  八尾 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216930
Publication number (International publication number)：1995131016
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】六方晶の炭化珪素を素材とした半導体装置において、ゲート電圧がオフ時のソースとドレイン間の漏洩電流を低減させ、且つ、オン時の電気抵抗を低減させることによって、高い電力変換容量を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】その主たる電流経路、例えば電界効果トランジスタであればソースとドレイン間を流れる電流が{0001}面に平行な方向に流れ、且つ、チャンネル形成面が{1120}面に平行になるように構成する。

Claim (excerpt)：

平板状の六方晶炭化珪素単結晶の表面と該表面に対向する裏面とに電流端子を備えた半導体装置において、前記炭化珪素単結晶の結晶学的方位指数<0001>方向が前記表面と平行な位置関係であり、且つ制御される電流の経路が前記炭化珪素単結晶の結晶学的面指数{0001}面に対して平行な方向であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (5)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 321 Q ,  H01L 29/78 321 V ,  H01L 29/80 A