不揮発性半導体記憶装置の動作方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000310475
Publication number (International publication number)：2002118184
Application date： Oct. 11, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】pチャネル型のメモリトランジスタについて、ホール注入による絶縁膜の膜質劣化を極力抑制しながら、記憶情報を確実に読み出す。【解決手段】n型半導体からなるチャネル形成領域と、p型半導体からなりチャネル形成領域を挟む2つのソース・ドレイン領域S/Dと、チャネル形成領域上のゲート絶縁膜10およびゲート電極Gと、チャネル形成領域に対向した面内および膜厚方向に離散化されてゲート絶縁膜10内に形成された電荷蓄積手段(窒化膜12を中心に形成されたキャリアトラップ)とを有する不揮発性半導体記憶装置に対し、形成したチャネル内を電界加速して生成したホットホールを電荷蓄積手段に注入して書き込みを行い、ソース・ドレイン領域S/D側でバンド間トンネル電流に起因したホットエレクトロンを生成し、当該ホットエレクトロンをホールが保持されている電荷蓄積手段の分布領域に注入して消去を行う。

Claim (excerpt)：

n型半導体からなるチャネル形成領域と、p型半導体からなり上記チャネル形成領域を挟む2つのソース・ドレイン領域と、上記チャネル形成領域上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、上記チャネル形成領域に対向した面内および膜厚方向に離散化されて上記ゲート絶縁膜内に形成された電荷蓄積手段とを有する不揮発性半導体記憶装置の動作方法であって、上記チャネル形成領域にチャネルを形成し、チャネル内を電界加速して生成したホットホールを上記電荷蓄積手段に注入して書き込みを行い、上記ソース・ドレイン領域側でバンド間トンネル電流に起因したホットエレクトロンを生成し、当該ホットエレクトロンをホールが保持されている上記電荷蓄積手段に注入して消去を行う不揮発性半導体記憶装置の動作方法。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 612 Z , H01L 27/10 434

F-Term (36)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD08 , 5B025AE08 , 5F001AA14 , 5F001AA19 , 5F001AB03 , 5F001AB08 , 5F001AC02 , 5F001AD41 , 5F001AD61 , 5F001AE02 , 5F001AE03 , 5F001AE08 , 5F001AF07 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083ER02 , 5F083ER05 , 5F083ER06 , 5F083ER11 , 5F083GA21 , 5F083NA03 , 5F101BA46 , 5F101BA54 , 5F101BB04 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BD22 , 5F101BD36 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF03

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