半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996256361
Publication number (International publication number)：1998107260
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】熱処理による素子特性の再現性および均一性の劣化ならびに素子特性の劣化が抑制された半導体素子を提供することである。【解決手段】 n型GaAs層5とノンドープAlGaAs層7との間にノンドープGaAs層6を設け、AlGaAsとGaAsとのヘテロ接合界面での電子濃度がほぼ1×1016cm-3以下となるようにノンドープGaAs層6の膜厚を設定する。それにより、熱処理による空孔の発生を抑制し、n型GaAs層5中のドーパントの拡散およびヘテロ接合界面での構成元素の相互拡散を抑制する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層と第2の半導体層とのヘテロ接合を有し、前記第1の半導体層に一導電型の不純物元素がドープされ、前記第1の半導体層中をキャリアが走行する半導体素子において、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に前記第1の半導体層と同じ半導体材料からなりかつノンドープまたはキャリア濃度が1016cm-3以下の第3の半導体層が設けられたことを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-245649
特開平4-241431
特開平4-245648

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