ポジ型レジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199210
Publication number (International publication number)：2001027807
Application date： Jul. 13, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用するミクロフォトファブリケ-ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、スカムの発生のないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)特定の構造の繰り返し構造単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)特定の構造の溶解阻止剤、及び(C)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(I)及びで示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、【化1】(上記一般式(I)、(II)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Wは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Ra,Rb,Rc,Rd,Reは各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。)(B)下記一般式(IV)で示される多環式部分を少なくとも2個有する溶解阻止剤、【化2】(上記式で示される多環式部分は、水素原子が酸不安定性基により置換されている少なくとも1個のカルボン酸基を含有する置換基で置換されている。)及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 2/46 , C08L 33/04 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 2/46 , C08L 33/04 , H01L 21/30 502 R

F-Term (59)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002BD123 , 4J002BE041 , 4J002BF011 , 4J002BG011 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BG081 , 4J002BG121 , 4J002BG131 , 4J002BH001 , 4J002BH021 , 4J002CA002 , 4J002CP033 , 4J002EB116 , 4J002EB146 , 4J002EU186 , 4J002EU216 , 4J002EV216 , 4J002EV296 , 4J002FD313 , 4J002GP03 , 4J011QA02 , 4J011QA03 , 4J011QA06 , 4J011QA08 , 4J011QA32 , 4J011QA33 , 4J011QA36 , 4J011QA38 , 4J011QA40 , 4J011QA45 , 4J011QA46 , 4J011RA10 , 4J011SA78 , 4J011SA79 , 4J011SA83 , 4J011SA87 , 4J011TA08 , 4J011TA10 , 4J011UA02 , 4J011UA04 , 4J011VA01 , 4J011WA01

Return to Previous Page