磁気抵抗性ランダムアクセスメモリにより使用される磁束集中層を作製する方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001569859
Publication number (International publication number)：2003528458
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 24, 2003
Summary：

【要約】少なくとも一個の磁気メモリビット(10)を配備する工程と、その近傍に磁束集中層(52)を含む銅(Cu)埋設ビットライン(56)を画定する材料積層体を形成する工程とを含む、磁気メモリデバイスにおいて用いられる磁束集中器を作製する方法。該方法は、磁気メモリビット(10)の近傍に底部誘電層(32)、選択的エッチング停止層(34)及び頂部誘電層(36)を堆積させる工程を含む。頂部誘電層(36)及び底部誘電層(32)内には深溝(38)がエッチングされる。深溝(38)内には第1バリア層(42)が堆積される。次に、第1バリア層(42)の表面上には金属系路(29)が堆積される。金属系路(29)は、銅(Cu)シード層(44)、メッキ銅(Cu)材料(46)、第1外側バリア層(50)、磁束集中層(52)及び第2外側バリア層(54)を含む。金属系路(29)はパターン形成かつエッチングされて、銅(Cu)埋設ビットライン(56)を画定する。

Claim (excerpt)：

第1バリア層と、磁束集中層と、第2バリア層と、銅(Cu)導電ラインとを有した被覆ディジットラインを形成する工程と、前記被覆ディジットラインの最上表面に誘電層を堆積させる工程と、前記誘電層上に少なくとも一個の磁気メモリビットを設ける工程と、銅(Cu)導電ラインと、第1外側バリア層と、磁束集中層と、第2外側バリア層とを有した被覆ビットラインを形成する工程とからなる、磁気メモリデバイスに使用される磁束集中器を製造するための方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122085 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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