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J-GLOBAL ID：200903048659274076
圧力センサの構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992231254
Publication number (International publication number)：1994037334
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 多結晶薄膜歪ゲージを用いた圧力センサにおいて、歪素子の特徴とシリコンダイヤフラムの応力分布とを考慮して最適な位置に歪ゲージを配置し、高出力を得る圧力センサの構造を提供する。【構成】 シリコンウェハー(2)の表面に異方性エッチングにより長方形ダイヤフラム(3)を、裏面に絶縁膜(5),多結晶薄膜歪ゲージ(1),保護膜(6),電極膜(9)を、それぞれ形成し、上記多結晶薄膜歪ゲージ(1)はダイヤフラム(3)の短辺A1と短辺A2と平行にかつ短辺A1と短辺A2との中心に、電流の方向と一致させて上記ダイヤフラム(3)の中心付近に2本、エッジ付近に2本それぞれ配置して、4-アクティブブリッジを構成する。
Claim (excerpt)：
シリコンウェハー(2)の表面に異方性エッチングにより長方形ダイヤフラム(3)を、裏面に絶縁膜(5),多結晶薄膜歪ゲージ(1),保護膜(6),電極膜(7)を、それぞれ形成し、上記多結晶薄膜歪ゲージ(1)は上記ダイヤフラム(3)の短辺A1と短辺A2と平行にかつ短辺A1と短辺A2との中心に、電流の方向と一致させて上記ダイヤフラム(3)の中心付近に2本、エッジ付近に2本それぞれ配置して、4-アクティブブリッジを構成したことを特徴とする圧力センサの構造。
IPC (2)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
