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J-GLOBAL ID：200903048659411219

半導体装置

Inventor： 坂本 正幸 ,  斉藤 潔 ,  最上 和彦 ,  安達 準一
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296612
Publication number (International publication number)：1995153873
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 成形性に優れたエポキシ樹脂組成物を用いて、低応力性および実装時の熱応力性に優れ、しかも高温雰囲気下での信頼性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子が封止された半導体装置である。しかも、上記(C)成分の含有割合がエポキシ樹脂組成物全体の70〜95重量%に設定されている。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)フェノールアラルキル樹脂。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が15μmを超え30μm以下に設定されているシリカ粉末。(a)粒子径100μm以上のものが全体の1重量%以下。(b)粒子径30μm以下のものが全体の40重量%以上。(c)粒子径10μm以下のものが全体の10〜30重量%。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記(C)成分の含有割合がエポキシ樹脂組成物全体の70〜95重量%に設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)フェノールアラルキル樹脂。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が15μmを超え30μm以下に設定されているシリカ粉末。(a)粒子径100μm以上のものが全体の1重量%以下。(b)粒子径30μm以下のものが全体の40重量%以上。(c)粒子径10μm以下のものが全体の10〜30重量%。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08K 3/36 NKX ,  C08L 63/00 NJR

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328199   Applicant：日東電工株式会社
• 特開昭64-062362