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J-GLOBAL ID：200903048701680918

プラズマCVD装置

Inventor： 加藤 健太郎
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129497
Publication number (International publication number)：1994338465
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 トレイをアンローダ側からローダ側へ返送するラインを不要にして、設備を簡略化したプラズマCVD装置を提供する。【構成】 3層の薄膜を積層するための3つの成膜チャンバー2、3、4をゲート弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバー1、5を備えたプラズマCVD装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる2系列の搬送機構21、22を具備し、基板の移動方向に向かって第1番目及び第3番目の成膜チャンバーで同一材質の膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

積層する膜数と同じ数の成膜チャンバーをゲート弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバーを備えたプラズマCVD装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる2系列の搬送機構を具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54