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J-GLOBAL ID：200903048705363046

磁気抵抗効果素子

Inventor： 及川 悟 ,  前田 篤志
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997244015
Publication number (International publication number)：1999087803
Application date： Sep. 09, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高いMR比を有し、かつ良好な磁界感度を有する巨大磁気抵抗効果型の磁気抵抗効果素子を得る。【解決手段】 凸部3aが島状に分散して設けられた下地層10の上に、強磁性層4,6と非磁性導電層5を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

凸部が島状に分散して設けられた下地層と、前記下地層の上に積層される、強磁性層と非磁性導電層を積層した構造を有する磁気抵抗効果膜とを備える磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00