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J-GLOBAL ID：200903048720697910

感放射線組成物およびパタン形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 服部 孝司 ,  土屋 裕子 ,  横山 義之 ,  老泉 博昭 ,  白石 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999103714
Publication number (International publication number)：2000292924
Application date： Apr. 12, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】ArFエキシマレーザの波長193nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。【解決手段】非共役環状ジエンおよびシトラコン酸無水物の少なくとも2種類のモノマーからなる共重合体の酸無水物部分の少なくとも一部を、還元して開環することにより合成したγ-ヒドロキシ酸構造を有するポリマーをレジストのベース樹脂として用いる。

Claim (excerpt)：

非共役環状ジエンおよびシトラコン酸無水物の少なくとも2種類のモノマーからなる共重合体の酸無水物部分の少なくとも一部を、還元して開環することにより合成したγ-ヒドロキシ酸構造を有するポリマーと酸発生剤を少なくとも含むことを特徴とする感放射線組成物。

IPC (14)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 8/04 ,  C08F 8/12 ,  C08F222/04 ,  C08F232/00 ,  C08F236/20 ,  C08K 5/36 ,  C08L 45/00 ,  C08L 47/00 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (15)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 8/04 ,  C08F 8/12 ,  C08F222/04 ,  C08F232/00 ,  C08F236/20 ,  C08K 5/36 ,  C08L 45/00 ,  C08L 47/00 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E

F-Term (58)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB11 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA09 ,  2H096HA11 ,  2H096HA30 ,  2H097CA13 ,  2H097CA17 ,  2H097FA02 ,  2H097HB03 ,  2H097JA02 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002BL021 ,  4J002EV236 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AK31Q ,  4J100AR16P ,  4J100AS15P ,  4J100BA03H ,  4J100CA04 ,  4J100DA62 ,  4J100HA06 ,  4J100HA08 ,  4J100HA61 ,  4J100HB25 ,  4J100HB63 ,  4J100JA38 ,  5F046BA08 ,  5F046CA04 ,  5F046CB17 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12