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J-GLOBAL ID：200903048736580185

トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法

Inventor：
マニシュ・シャルマ

About マニシュ・シャルマ

, 
トゥルーマン・エイチ・デニー・ザ・サード

About トゥルーマン・エイチ・デニー・ザ・サード


Applicant, Patent owner：
ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

About ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.


Agent (3)： 岡田 次生 ,  伏見 直哉 ,  平野 ゆかり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003347960
Publication number (International publication number)：2004153258
Application date： Oct. 07, 2003
Publication date： May. 27, 2004
Summary：
【課題】 トンネル障壁層の酸化および窒化がトンネル障壁層全体を通して均一かつ均質になるように、トンネル接合素子内の上層を通して非導電性トンネル障壁層を処理する方法を提供すること。【解決手段】 トンネル接合素子の非導電性トンネル障壁層を、トンネル障壁層を覆う少なくとも1つの上層を通して、トンネル障壁層に照射される紫外光に暴露することにより、均一なトンネル障壁層への上記の要求に対処する。以前の処理ステップからトンネル障壁層に残される(disposed)、酸素あるいは窒素などの別の反応物質が紫外線放射によって活性化され、トンネル障壁層内の欠陥を修復する。その紫外光には、処理装置の既存の部品に組み込まれる紫外光源からの紫外光を用いることができる。トンネル障壁層は、上層の形成中に紫外光で照射されることができるか、あるいは上層の形成後に照射されることができる。 【選択図】図5A
Claim (excerpt)：
トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法であって、 予め形成されたトンネル障壁層上に所定の厚みの上層を形成することと、 前記トンネル障壁層に該上層を通して紫外光を照射することを含み、該紫外光は、前記所定の厚みの上層を透過して前記トンネル障壁層内にある反応物質に入射し、 前記紫外光が前記反応物質を活性化することにより、該反応物質が、前記トンネル障壁層の材料に反応し該材料を非導電性材料に変換する方法。
IPC (4)：
H01L43/12 ,  H01L27/105 ,  H01L29/66 ,  H01L43/08
FI (5)：
H01L43/12 ,  H01L29/66 L ,  H01L29/66 T ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
F-Term (3)：
5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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