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J-GLOBAL ID：200903048749426657

位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク

Inventor： 三ッ井 英明 ,  竹内 恵 ,  野澤 順
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997365325
Publication number (International publication number)：1999184067
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MSi系半透明膜(Mは金属又は遷移金属)の組成を正確かつ容易に制御することができ、したがって特定組成の所望の要求特性を有するMSi系半透明膜を容易に得ることができるとともに、成膜がしやすく、成膜の再現性が良く、膜中欠陥を低減できるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 位相シフトマスクを作製するための位相シフトマスクブランクであって、透明性基板1を直接透過する光に対して半透明膜2を透過する光に所定量の位相差を生じさせる機能を有する半透明膜2を透明性基板1上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、金属及び遷移金属から選ばれる少なくとも一つの元素と、珪素と、これらの元素の酸化物、窒化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物とを含有してなるスパッタリングターゲットを用いて前記半透明膜2を形成する。

Claim (excerpt)：

位相シフトマスクを作製するための位相シフトマスクブランクであって、透明性基板を直接透過する光に対して半透明膜を透過する光に所定量の位相差を生じさせる機能と光の強度を減衰させる機能とを有する半透明膜を透明性基板上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法において、金属及び遷移金属から選ばれる少なくとも一つの元素と、珪素と、これらの元素の酸化物、窒化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物とを含有してなるスパッタリングターゲットを用いて前記半透明膜を形成することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 L ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528