Pat
J-GLOBAL ID:200903048763031690

磁化制御方法、情報記録方法及び情報記録素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998130710
Publication number (International publication number):1999330387
Application date: May. 13, 1998
Publication date: Nov. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 磁界を用いることなく磁化を制御することが可能な磁化制御方法として、より現実的であり実用可能な方法を提供する。また、そのような磁化制御方法を利用した情報記録方法及び情報記録素子を提供する。【解決手段】 強磁性体からなる磁化領域を、磁性材料及び半導体材料を含む複合体からなるスペーサ領域によって分割する。そして、スペーサ領域に対して外部から刺激を与えることによって、磁化領域間の磁気的な相互作用を変化させて、1つもしくはそれ以上の磁化領域の磁化を制御する。このようにスペーサ領域に磁性材料を含ませておけば、スペーサ領域を実用可能な程度にまで厚くしても、強磁性体からなる磁化領域間において磁気的相互作用を生じさせることが可能であり、スペーサ領域により媒介される磁化領域間の磁気的相互作用を利用して、磁化領域の磁化方向を制御することが出来る。
Claim (excerpt):
強磁性体からなる磁化領域を、磁性材料及び半導体材料を含む複合体からなるスペーサ領域によって分割し、スペーサ領域に対して外部から刺激を与えることによって、磁化領域間の磁気的な相互作用を変化させて、1つもしくはそれ以上の磁化領域の磁化を制御することを特徴とする磁化制御方法。
IPC (3):
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3):
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page