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J-GLOBAL ID：200903048768901218

赤外線光学素子およびその製造方法

Inventor： 青木 正樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221514
Publication number (International publication number)：1993060901
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法で作成された高純度の多結晶硅素を用いて、透過率が高く、光学性能の良好な赤外線光学素子を提供することを目的とする。【構成】 硅素化合物と水素の混合ガスを900°C〜1200°Cに加熱した基体上に流して得られる多結晶硅素をレンズ形状あるいはフィルタ-形状に加工して赤外線光学素子を得る。

Claim (excerpt)：

CVD法(化学蒸着法)で作成された純度が99.9999999%以上の多結晶硅素をレンズ形状あるいはフィルター形状に加工した赤外線光学素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-245201
  
• 特開昭62-046912