フォトマスク、および該フォトマスクを用いたマイクロレンズ作成方法、ならびに該マイクロレンズ作成方法により作成したマイクロレンズ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯村雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001126321
Publication number (International publication number)：2002323747
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 1回のフォトリソグラフィーとエッチングによりマイクロレンズと該マイクロレンズの高さより高いスペーサを同時に形成することが可能なフォトマスク、該フォトマスクを用いたマイクロレンズ作成方法、該方法により作成したマイクロレンズを提供すること。【解決手段】透過率に分布を持たせ、スペーサ部分305の透過率をレンズ部分304の最も低い透過率よりも低くなるように設定したフォトマスク303を用いて露光する(a,b)。これによりどのようなレンズ形状に対してもスペーサ部分のフォトレジスト高さをレンズ部分より高くすることができる(c)。また露光されたレンズパターンとスペーサパターンの高さの差と必要なスペーサの高さに応じてエッチングの選択比をコントロールすることで任意の高さのスペーサパターンを形成することができる(d,e)。

Claim (excerpt)：

基板上にポジ型のフォトレジストを塗布する工程と、透過率分布を持つフォトマスクを用いて前記ポジ型のフォトレジストを露光する工程と、該フォトレジストを現像する工程と、現像されたフォトレジストパターンを異方性ドライエッチングにより基板に転写する工程を含むマイクロレンズ作成方法に用いるフォトマスクであって、マイクロレンズを生成するパターンの周辺に、スペーサを形成するためのパターンを配置し、そのパターンの透過率は、マイクロレンズ部分の最も透過率の低い部分より透過率が低いことを特徴とするフォトマスク。

IPC (5)：

G03F 1/08 , G02B 3/00 , G03F 7/20 501 , G11B 7/135 , G11B 7/22

FI (7)：

G03F 1/08 D , G03F 1/08 G , G03F 1/08 N , G02B 3/00 A , G03F 7/20 501 , G11B 7/135 A , G11B 7/22

F-Term (20)：

2H095BA08 , 2H095BB02 , 2H095BB16 , 2H095BC01 , 2H095BC05 , 2H095BC09 , 2H095BE03 , 2H097BA06 , 2H097CA16 , 2H097FA02 , 2H097JA02 , 2H097JA03 , 2H097JA04 , 2H097LA15 , 5D119AA01 , 5D119AA20 , 5D119AA38 , 5D119JA44 , 5D119JA49 , 5D119NA05

Return to Previous Page