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J-GLOBAL ID：200903048790376216

単結晶製造方法及び装置

Inventor： エリッヒ・ドルンベルガー ,  ハンス・エールクルク ,  ヴィルフリート・ファン・アモン ,  ディーター・グラフ
Applicant, Patent owner： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997113916
Publication number (International publication number)：1998036190
Application date： May. 01, 1997
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウエハが特に高GOI歩留りを示し、プライムウエハとして特によく適しているか、LPDの大きさが主に0.12μm未満の範囲内にあるのでモニタウエハとして使用でき及びおそらくプライムウエハとしても使用できるように、シリコン単結晶の製造を改善させること。【解決手段】成長単結晶を規定温度範囲において規定のドウエル時間保つシリコン単結晶の製造方法であって、前記温度範囲として850〜1100°Cを選択し、前記選択された温度範囲における成長単結晶のドウエル時間が250分を超えるか80分未満である、シリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

成長単結晶を規定温度範囲において規定のドウエル時間保つシリコン単結晶の製造方法であって、前記温度範囲として850〜1100°Cを選択し、前記選択された温度範囲における成長単結晶のドウエル時間が250分を超えるか80分未満である、ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-313384
  
• 特開昭61-201692