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J-GLOBAL ID：200903048791897341

プラズマ処理装置

Inventor： 石本 博三 ,  高松 利行
Applicant, Patent owner： 株式会社日本セラテック ,  高松 利行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999229402
Publication number (International publication number)：2001023972
Application date： Jul. 10, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 湾曲性のあるフィルムあるいは薄膜等の材料のガスプラズマ処理の効率向上。【解決手段】断面が円形または楕円形形状の管を有する二重管電極構造をもち、その二重管電極の少なくとも一方に試料を機械的クランプ、差圧真空吸着あるいは静電吸着等の手法によって装着し、試料に対向する側の電極に試料装着管と相似形の円管あるいは楕円管を配置し、かつこれらの電極管の両端を絶縁を図りながら閉鎖することによって電極間部分を密閉容器として減圧できる形状にすることによってプラズマを生成せしめる装置構造とする。

Claim (excerpt)：

外側が円筒または楕円筒形状の外管電極であって、内側が円筒または楕円筒あるいは円柱または楕円柱形状の内管電極であって、その外管電極と内管電極との間を減圧しうるように両端が閉鎖され、その外管電極と内管電極の管の延伸方向に垂直な断面の一部が相似形でかつその相似部分の外管電極と内管電極との距離が等間隔であって、その外管電極と内管電極とが電気的に絶縁されている二重管電極構造を有するプラズマ処理装置であり、その処理装置でもって二重管電極の外管電極内面または内管電極外面に湾曲性を有するフィルムあるいは薄膜等の材料を装着し、その外管電極と内管電極との間の減圧された領域に反応性ガスを導入した後、その外管電極と内管電極との間に高周波電力を印加することによってプラズマを発生させ、そのプラズマにより前記フィルムあるいは薄膜等の材料をエッチングまたは成膜処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M

F-Term (38)：

4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA01 ,  4K030KA16 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DG12 ,  4K057DG13 ,  4K057DM06 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045EC02 ,  5F045EG02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH15 ,  5F045EM04 ,  5F045EM05