Pat

J-GLOBAL ID：200903048793780336

半導体装置の製造法

Inventor： 本多 英美 ,  弘田 成弥
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 桑井 清一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991139688
Publication number (International publication number)：1993121319
Application date： May. 15, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 機械的強度を損なうことなく、高いIG能力を有する半導体ウェーハを安価に提供する。【構成】 高酸素MCZシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長を行う方法であり、機械的強度を損なうことなく、高いIG能力を有する半導体ウェーハを安価に製造する。

Claim (excerpt)：

高酸素MCZ法で製造したシリコン単結晶より加工したシリコン単結晶基板上に、シリコン単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体装置の製造法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-085085
  
• 特開昭60-247935