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J-GLOBAL ID：200903048793828584

半導体装置およびその駆動方法

Inventor： 嶋田 恭博 ,  魏 志強 ,  加藤 剛久
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004304460
Publication number (International publication number)：2006120706
Application date： Oct. 19, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】 少ない回数での電圧パルスの印加によっても可変抵抗層に大きな抵抗値の変化を引き起こすことが可能であって、動作速度の速い半導体装置およびその駆動方法を提供する。 【解決手段】 可変抵抗素子部100は、基板10の一方の主表面上に第1電極111と可変抵抗層120とが順に積層され、さらに可変抵抗層120の主表面上における一部領域に第2電極112が積層形成され構成されている。 可変抵抗素子部100では、可変抵抗層120を挟む第1電極111と第2電極112とに、電圧パルスを印加することによって可変抵抗層120にキャリアの注入を行い、その抵抗値を3桁以上増大される。ここで、注入するキャリアの密度は、電流密度にして104A/cm2以上である。 【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト構造を有する材料からなり、電界の変化により電気特性が変化する可変抵抗層と、前記可変抵抗層における電気抵抗の変化を生じさせる駆動部とを有する半導体装置であって、 前記駆動部は、前記可変抵抗層に対してキャリアを注入し、当該可変抵抗層の高抵抗化を図るキャリア注入手段を有している ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10

FI (2)：

H01L27/04 P ,  H01L27/10 451

F-Term (17)：

5F038AR07 ,  5F038AR13 ,  5F038AV02 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6204139号公報