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J-GLOBAL ID:200903048807730299

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994323584
Publication number (International publication number):1996157561
Application date: Dec. 01, 1994
Publication date: Jun. 18, 1996
Summary:
【要約】【構成】 (A)ベンゼン環に少なくとも一つの有機基を持つエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機質充填剤、(D)硬化促進剤として下記構造式(2)で示されるイミダゾール化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、式(1)のエポキシ樹脂と式(2)のイミダゾール化合物とを併用したことにより、式(1)の如き多官能エポキシ樹脂を用いても、ゲル化時間を長くすることができ、BGA封止などにおいて金線曲がりの起らないほど粘度を低く保つことができるもので、機械的強度、ガラス転移温度が高く、しかも低吸湿性、低線膨張性、高接着性を有する硬化物を与え、かつ組成物の溶融粘度が低く、ゲル化時間が長い上、硬化速度が速いものである。従って、本発明の組成物の硬化物で封止された半導体装置は信頼性の高いものである。
Claim (excerpt):
(A)下記構造式(1)で示されるエポキシ樹脂【化1】(式中、OGはグリシジル基であり、Rは水素原子又は一価炭化水素基を示すが、全Rのうち少なくとも1個は一価炭化水素基である。nは0又は1以上の整数である。)(B)フェノール樹脂(C)無機質充填剤(D)硬化促進剤として下記構造式(2)で示されるイミダゾール化合物【化2】を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (3):
C08G 59/32 NHQ ,  C08G 59/50 NJE ,  C08G 59/62 NJS

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