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J-GLOBAL ID：200903048812712215

パワー半導体モジュール及びその実装方法

Inventor： 小泉 正博 ,  梶原 良一 ,  高橋 和弥 ,  高橋 敏幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187446
Publication number (International publication number)：1997036186
Application date： Jul. 24, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 パワー半導体モジュールの組立て工程の歩留まり向上及び時間短縮並びに従来と同様のチップ内レイアウト構成で、素子/電極間の電気抵抗を下げ、かつモジュールを構成する各部材間の接合部が温度サイクル負荷が加わる実使用環境下において、長期に渡る信頼性を保証できる実装構造を提供する。【構成】 放熱板上に絶縁基板3が設けられ、その上にシリコン半導体チップ1が設けられ、絶縁基板3上の電極4と半導体チップ1上のパッド2とを導体20,21で接続して成るパワー半導体モジュールにおいて、導体20,21とパッド2及び電極4とは半田12によって接合され、導体20,21は放熱板、絶縁基板3及びシリコン基板1との熱膨張率の差をいずれも10×10-6/°C以下とする。

Claim (excerpt)：

放熱板と、前記放熱板上に固着された複数の電極を備える絶縁基板と、前記絶縁基板の電極上に固着されたシリコン半導体チップとを含み、前記絶縁基板のシリコン半導体チップが固着されていない電極と前記シリコン半導体チップ上の複数のパッドとを導体で接続して成るパワー半導体モジュールにおいて、前記導体とパッド及び電極とは半田によって接合され、前記導体は前記絶縁基板及びシリコンとの熱膨張率の差がいずれも10×10-6/°C以下であることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (4)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3)：

H01L 21/60 321 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 25/04 C