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J-GLOBAL ID：200903048813840187

MIS形電界効果トランジスタ

Inventor： ルネ シユタイン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259449
Publication number (International publication number)：1994196686
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 200°C以上の高温度でもゲート・ドレイン間の漏れ電流が小さくかつ制御特性曲線に大きな急勾配が得られるように、Siよりも大きなエネルギーギャップを有する半導体をベースとするMISFETを提供する。【構成】 Siよりも大きなエネルギーギャップを有する半導体2とゲート電極6との間にダイヤモンドから成る絶縁膜4が配置される。

Claim (excerpt)：

ゲート電極(6)とシリコン(Si)よりも大きなエネルギーギャップを有する半導体(2)との間にダイヤモンドから成る絶縁膜(4)を設けたことを特徴とするMIS形電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224168   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• MIS構造のダイヤモンドFETの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180897   Applicant：住友電気工業株式会社