Pat

J-GLOBAL ID：200903048815047506

低抵抗配線の形成方法

Inventor： 神谷 建史 ,  大野 一郎
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344641
Publication number (International publication number)：1995176525
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】加熱による異常突起の発生がない低抵抗配線を、少ない工程数で低コストに形成することができる低抵抗配線の形成方法を提供する。【構成】Al またはAl 系合金からなる金属膜12をパターニングする際の金属膜12のエッチングを、一般に用いられているエッチング液よりも硝酸の濃度を高くしたエッチング液(燐酸と硝酸と酢酸と水を、燐酸16,硝酸2〜8,酢酸2,水1の容量比で混合させたエッチング液)によって行ない、配線12aの形成と同時にその側面に、加熱による異常突起の発生を抑制するのに十分な厚さに酸化層12bを生成させる。

Claim (excerpt)：

アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる低抵抗の配線を形成する方法であって、配線を形成する面の上にアルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる金属膜を成膜する工程と、前記金属膜の上に感光性レジストを塗布し、このレジストを露光・現像処理して所定の配線形状にエッチングマスクを形成する工程と、前記金属膜を、少なくとも燐酸と硝酸を含みかつ前記燐酸と硝酸の容量比が燐酸16に対し硝酸2〜8であるエッチング液を用いてエッチングする工程と、からなることを特徴とする低抵抗配線の形成方法。

IPC (9)：

H01L 21/308 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  H05K 3/06 ,  G02F 1/1343

FI (5)：

H01L 21/306 Q ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭47-039822
  
• 特開昭52-012588
  
• 特開昭51-089846