半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094607
Publication number (International publication number)：1998270363
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】低温プロセスの特徴を生かしたまま珪素を含む半導体膜中から触媒元素を除去するための技術を提供する。【解決手段】ガラス基板201上に珪素を含む非晶質膜203を形成し、触媒元素を利用して結晶化する。そして、結晶性珪素膜に対して15族に属する不純物元素を選択的に導入し、ゲッタリング領域208、209および被ゲッタリング領域210を形成する。さらに、加熱処理によって珪素膜中の触媒元素をゲッタリング領域へと移動させる。このゲッタリング工程により触媒元素が十分に低減された結晶性珪素膜211を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に対して該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を導入する第2の工程と、加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させる第3の工程と、前記第3の工程で得られた珪素を含む半導体膜に対して15族に属する不純物元素を選択的に導入する第4の工程と、加熱処理により前記不純物元素を導入した領域に前記触媒元素をゲッタリングさせる第5の工程と、を少なくとも含み、前記第5の工程における加熱処理は前記基板の歪点を超えない温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-097478 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-216608 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-097477 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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