Pat

J-GLOBAL ID：200903048823998129

非晶質半導体薄膜形成方法

Inventor： 齊藤 公彦 ,  石黒 信行 ,  芦田 芳徳
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994322801
Publication number (International publication number)：1996181079
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】 基板上に、シリコン原子を含む化合物のプラズマ分解により非晶質半導体薄膜を膜厚 0.4から 60 nm形成する工程、該非晶質半導体薄膜を加熱したガス雰囲気にさらす工程、を繰り返し行うことにより所定の膜厚を形成する非晶質半導体薄膜形成方法。【効果】 本発明で示した成膜/加熱ガス処理工程を繰り返し行う形成方法により形成した非晶質半導体薄膜は、狭バンドギャップかつ低欠陥密度であり、また、この非晶質半導体薄膜を太陽電池の真性半導体層に用いると、太陽電池特性の短絡光電流が極めて向上し、優れた特性の太陽電池が形成される。

Claim (excerpt)：

基板上に、シリコン原子を含む化合物のプラズマ分解により非晶質半導体薄膜を膜厚 0.4〜60nm形成する工程、該形成した非晶質半導体薄膜を加熱したガス雰囲気にさらす工程、を繰り返し行うことにより所定の膜厚を形成する非晶質半導体薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04