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J-GLOBAL ID：200903048847105354

張り合わせSOIウェーハの製造方法

Inventor： 冨澤 憲治 ,  小松 圭 ,  高松 勝
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999306048
Publication number (International publication number)：2001127274
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 活性層用ウェーハの金属汚染を抑止し、その電気的特性を高めた張り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 エッチング後の活性層用ウェーハ10の片面にポリシリコン層11を成長させ、反対側のシリコン面を鏡面研磨する。活性層用ウェーハ10を熱酸化し、シリコン酸化膜12で覆う。また、鏡面仕上した支持基板用ウェーハ20を用意する。ウェーハ10、20のSC1洗浄後、ウェーハ10の酸化膜12にウェーハ20の鏡面を室温下で重ね合わせる。張り合わせシリコンウェーハ30を1100°C,2時間で熱処理する。ボイド検査後、良品ウェーハ30を面取りする。さらに、活性層用ウェーハ部分を研削・研磨し、薄肉化する。ゲッタリング層であるポリシリコン層11は張り合わせウェーハ30の表面から除去される。研磨面がデバイス形成面となる。熱処理時の金属不純物をゲッタリングし、ウェーハ表層部の金属汚染を抑制し、電気的特性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

活性層用ウェーハの片面にゲッタリング層を形成する工程と、 ゲッタリング層の形成後、活性層用ウェーハを熱酸化処理して、シリコン酸化膜により覆う工程と、この後、上記活性層用ウェーハのゲッタリング層とは反対側の面に支持基板用ウェーハを張り合わせる工程と、上記活性層用ウェーハのゲッタリング層を除去する工程とを備えた張り合わせSOIウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (8)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 M ,  H01L 21/322 R ,  H01L 21/322 E ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-229155   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社