金属酸化物を用いて分光増感された多孔質金属酸化物半導体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小田島平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004528513
Publication number (International publication number)：2006500764
Application date： Jul. 29, 2003
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

2.9eV未満のバンド-ギャップを有する1種もしくはそれより多い金属酸化物又はそれらの混合物を用いて内部及び外部表面上で分光増感された2.9eVより大きいバンドギャップを有する多孔質金属酸化物半導体;2.9eVより大きいバンドギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物を準備し、熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解されると2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属酸化物を与える金属化合物又は塩の溶液を適用し、金属塩が適用された2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物を加熱して、塩を熱分解するか又は加水分解し且つ続いて熱分解し、2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属酸化物とする段階を含んでなる、2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための方法;ならびに(i)2.9eVより大きいバンド-ギャップを有する金属酸化物半導体に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩ならびに2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属酸化物に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩を含有する溶液を調製し、(ii)段階(i)で調製された溶液に水溶性ポリマーを加え、(iii)段階(ii)で調製された溶液を支持体上にコーティングし、そして(iv)段階(iii)で調製されたコーティングされた支持体を、水溶性ポリマーがもはやコーティング支持体中に存在しない温度に加熱する段階を含んでなる、2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための第2の方法。

Claim (excerpt)：

2.9eV未満のバンド-ギャップを有する1種もしくはそれより多い金属酸化物又はそれらの混合物を用いて内部及び外部表面上で分光増感された2.9eVより大きいバンドギャップを有する多孔質金属酸化物半導体。

IPC (5)：

H01L 31/04 , C01G 31/00 , H01L 29/06 , H01M 14/00 , H01L 29/12

FI (5)：

H01L31/04 Z , C01G31/00 , H01L29/06 601N , H01M14/00 P , H01L29/14

F-Term (18)：

4G048AA03 , 4G048AB04 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AE06 , 5F051AA14 , 5F051CB13 , 5F051DA20 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB05 , 5H032EE01 , 5H032EE02 , 5H032EE16 , 5H032HH00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

米国特許第4,927,721号明細書
欧州特許出願公開第1164603号明細書
米国特許第5,350,644号明細書

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