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J-GLOBAL ID：200903048871980282

半導体ウェハ

Inventor： 中園 隆一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995191496
Publication number (International publication number)：1997045594
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】ウェハ処理工程において、オリエンテーションフラットでの欠けの発生を低減し、欠けに起因するウェハ割れによる歩留りの低下を抑える。【解決手段】へき開面2で形成したオリエンテーションフラット6に、部分的に面取りを施して面取部1を形成し、欠けに弱いへき開面2と欠けに強い面取部1とを混在させる。このようにしてオリエンテーションフラット6部における欠け発生の確率を低減する。

Claim (excerpt)：

外周に形成したへき開面に部分的に面取りを施した半導体ウェハ。