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J-GLOBAL ID：200903048884079410

半導体チップの製造方法

Inventor： 鮫島 克己
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999040400
Publication number (International publication number)：2000243785
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】機能バンプBFおよびダミーバンプBDの形成時には、図2(b) に示すように、表面保護膜17の表面が平坦化された後、図2(c) に示すように、表面保護膜17において内部配線16に対向する領域に、内部配線16の表面の一部を露出させるための開口部18が形成される。つづいて、開口部18を介して露出した内部配線16および平坦化された表面保護膜17上に選択的にメッキが施されることにより、図2(e) に示すように、機能バンプBFおよびダミーバンプBDが形成される。【効果】機能バンプBFおよびダミーバンプBDをほぼ同じ高さに形成することができる。

Claim (excerpt)：

固体表面に接合され、上記固体表面に対向する表面に上記固体との電気接続のための電気接続部および上記固体との電気接続に寄与しないダミー接続部を有する半導体チップの製造方法であって、当該半導体チップの基体をなす半導体基板上に内部配線を配設する工程と、上記内部配線上に表面保護膜を積層する工程と、上記表面保護膜を平坦化する工程と、上記表面保護膜に上記内部配線の一部を露出させるための開口部を形成する工程と、上記表面保護膜の平坦化工程および上記開口部の形成工程の後に、上記開口部を介して露出した内部配線および平坦化された表面保護膜上に選択的にメッキを施すことにより、上記開口部を介して上記内部配線に接続された電気接続部および上記内部配線から絶縁されたダミー接続部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 25/08 B

F-Term (3)：

5F044KK01 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR03